氟化工专利精选

2023-02-02 17:34吴世清
化工生产与技术 2023年6期
关键词:聚四氟乙烯全氟磺酸

一种锂电池阻燃隔膜材料及其制备方法

将聚偏氟乙烯聚合物、沸石基增强剂、POSS基交联剂和去离子水加入搅拌机中,转速500~1000 r/min下搅拌0.5~1 h,加入引发剂搅拌0.5 h 后加入润湿剂,继续搅拌0.5~1 h,得到阻燃涂料;将阻燃涂料均匀涂覆在基膜一侧或两侧表面上,单侧涂覆厚度为1~3 μm,置于50~60 ℃环境中干燥6~8 h,收卷,得到锂电池阻燃隔膜材料。该发明以聚偏氟乙烯聚合物、沸石基增强剂、POSS基交联剂和去离子水等原料制备阻燃涂料,通过在聚烯烃基膜上涂覆阻燃涂料形成阻燃涂层,提高阻隔膜的热稳定性和阻燃性,并赋予其良好的吸液率。(CN117199706A)

一种耐低温全氟醚弹性体组合物及其制备方法

制备步骤:1)将全氟烷氧基烷基乙烯基醚、四氟乙烯、全氟甲基乙烯基醚和硫化点单体进行乳液聚合得到全氟醚弹性体乳液;2)将全氟醚弹性体乳液与PTFE乳液混合、凝聚和干燥脱挥得到全氟醚弹性体粉体,对全氟醚弹性体粉体进行薄通、塑炼得到改性全氟醚弹性体;3)改性全氟醚弹性体中加入硫化剂、硫化助剂和吸酸剂,进行薄通、混炼得到混炼胶,对混炼胶模压成型、二次硫化得到耐低温的全氟醚弹性体组合物。该申请在氟弹性体的侧链引入柔性的醚键以降低玻璃化温度,提高了全氟醚弹性体组合物的耐低温性能。(CN117070043A)

一种高粘结强度的聚四氟乙烯及其制备方法

制备步骤为:1)用表面处理剂对聚四氟乙烯进行表面处理,得含有活化层的聚四氟乙烯;2)向所述含有活化层的聚四氟乙烯内加入填充物,得高粘结强度聚四氟乙烯。按质量分数计,该高粘结强度聚四氟乙烯包括以下组分:聚四氟乙烯75%~80%,表面处理剂2%~5%,环氧树脂粘合剂15%~20%。该发明通过添加环氧树脂粘合剂使制得的聚四氟乙烯具有高粘结强度,且制得的四氟乙烯的粘结性能延续时间长。该发明的高粘结强度的聚四氟乙烯的制备方法简单,适合工业化生产。(CN117050685A)

一种聚偏氟乙烯分散液、其制备方法及复合隔膜

该分散液以质量分数计,包括以下组分:经等离子处理的聚合物粉体5%~20%、增稠剂4%~8%、粘结剂4%~10%、润湿剂0.02%~0.08%和水70%~80%。其中,聚合物粉体包括聚偏氟乙烯,分散液不包含分散剂。该分散液包括等离子处理的聚合物粉体,能够提高粉体材料的亲水性,不需要添加分散剂就可以配制出利于涂覆的PVDF 分散液。(CN116814023A)

一种聚偏二氟乙烯材料及其制备方法和用途

向反应容器中加入去离子水、链转移剂、表面活性剂和引发剂,搅拌均匀后,抽真空、除氧,升温至65~110 ℃,然后添加偏氟乙烯至反应容器内的压力为1.5~3.5 MPa,开始聚合反应,再继续补加四氟乙烯至压力为4.8~5.5 MPa并升温至125~142 ℃,反应结束、得到聚合物乳液;将得到的聚合物乳液进行凝聚、洗涤、干燥和造粒,即得聚偏二氟乙烯材料。该发明方法得到的聚偏二氟乙烯材料具有优异的电池用粘结性能,并且能保证锂电池的电学性能,应用前景好。(CN117186289A)

一种可熔性聚四氟乙烯的制备方法

将水、分散剂、链转移剂、全氟正丙基乙烯基醚和缓聚剂组合物加入反应容器中,得到混合溶液;升温至反应温度,向混合溶液中通入四氟乙烯至反应压力后,将引发剂加入混合溶液进行反应;向混合溶液中补加四氟乙烯和所述缓聚剂组合物,维持反应容器的压力在反应压力范围内,直至反应结束,得到可熔性聚四氟乙烯湿粉料,将湿粉料洗涤、干燥,得到可熔性聚四氟乙烯树脂。由该发明制备的可熔性聚四氟乙烯具有组成均匀、分子量分布窄和耐弯折寿命高的特点。(CN117209644A)

一种全氟磺酸类增强质子交换膜及其制备方法和应用

对聚四氟乙烯膜进行预处理,得到预处理后的聚四氟乙烯膜。将全氟磺酸树脂加入有机溶剂中,加热并搅拌,得到全氟磺酸树脂溶。之后将全氟磺酸树脂溶液加入预处理后的聚四氟乙烯膜中,然后进行热处理,即得全氟磺酸类增强质子交换膜。其中,预处理方法为:对聚四氟乙烯膜进行氧化处理,再进行酸化处理。该发明制备的离子膜具有优异的质子传导性,电池运行过程中能具有较好的稳定性;其强度为均质膜的2倍左右,这就使得采用更高质子传导基团含量的树脂和更大限度地降低膜的厚度成为了可能。(CN116845308A)

一种采用聚四氟乙烯分散液直接制备PTFE薄膜的方法

以聚四氟乙烯分散液为原料,通过小分子的改性剂对聚四氟乙烯分散液进行改性,然后将改性的聚四氟乙烯分散液进行成膜、干燥和烧结,直接制备得到PTFE薄膜,制备工艺简单可行且可连续成型。所得PTFE 薄膜聚的膜厚可薄至1 μm 且可在1~200 μm 间灵活调控,所得薄膜的膜结构均匀且稳定,幅宽大且厚度均匀性好,力学性能优良。(CN117186454A)

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