暗电流
- 地物光谱仪测量中的校正方法研究*
定精度的目的。暗电流会产生散粒噪声影响系统的信噪比，另外，暗电流的非均匀性会影响成像质量。针对暗电流的问题，主要的解决方法有使用数值方法进行暗电流的扣除[4-5]、通过制冷抑制暗电流[6]、通过改变CCD 驱动方式来抑制暗电流[7]等。本文通过制冷技术，抑制大部分暗电流，且在控制制冷温度稳定的前提下，再通过数值的方法，通过上位机算法的编写来扣除暗电流，这样通过制冷使暗电流减小，同时控温下又保证了暗电流的稳定性，从而使得在相同积分时间下与无制冷的光谱仪相比，
机电工程技术 2023年12期2024-01-09
- 基于Ⅱ类超晶格的中波红外带间级联探测器（特邀）
子效率高、复合暗电流低等优点，但成本高；量子阱探测器成本低，但量子阱材料基于子带间跃迁吸收，量子效率低，而且因为不能吸收垂直入射光，需要制作表面光栅，增加了器件工艺成本。近年来，InAs/GaSb Ⅱ类超晶格（T2SL）得到了广泛关注。T2SL 的有效带隙取决于电子和空穴形成的微带，通过调节InAs 层和GaSb 层的厚度可以灵活调节带隙实现约1～32 μm 的探测，因为是带间跃迁，其量子效率远高于量子阱；而且，在Ⅱ类超晶格结构中，因为轻重空穴分离，降低了
光子学报 2023年10期2023-11-30
- 基于长尺度测量法的纯电动客车暗电流系统性分析与验证*
：纯电动客车 暗电流 长尺度测量法 停运时长1 前言车辆长期停运时，暗电流（Dark Current）的存在导致汽车低压蓄电池亏电，从而造成车辆起动困难或无法起动。不同配置车型的车载电气设备数量及其功率差异很大，尽管相关文献对纯电动乘用车和传统动力客车的暗电流进行了一些探讨[1-3]，也给出了业内主流客车产品的整车暗电流参考上限29～71 mA[1]，但该上限范围并不满足纯电动客车用户的实际使用需求（待机时长偏短），行业内暂未对纯电动客车的整车暗电流展开详
汽车技术 2023年9期2023-09-26
- WO3/β-Ga2O3 异质结深紫外光电探测器的高温性能*
,该探测器的光暗电流比为3.05×106,响应度为2.7 mA/W,探测度为1.51×1013 Jones,外量子效率为1.32%.随着温度的升高,器件的暗电流增加、光电流减少,导致上述光电探测性能的下降.为了理清高温环境下探测性能退化的内在物理机制,研究了温度对光生载流子产生—复合过程的影响,继而阐明了高温对光电流增益机制的影响.研究发现,WO3/β-Ga2O3异质结光电探测器能够在450 K 的高温环境中实现稳定的自供电工作,表明全氧化物异质结探测器在
物理学报 2023年16期2023-09-06
- 基于CIS 暗电平校正算法研究与实现
异，CIS 的暗电流始终高于同尺寸的CCD[2]。暗电流限制了CIS 的性能如动态范围、灵敏度，引入固定模式噪声(FPN, fixed pattern noise)和瞬时噪声。因此，在在图像处理阶段，采用暗电平校正算法对其进行校正是很有必要的。1 CMOS图像传感器芯片结构CMOS 图像传感器芯片是由像素阵列(Pixel Array)、可编程放大器(PGA)、图像信号处理(ISP)、模数转换(ADC)、时序控制(Timing Control)、行解码(Ro
电子技术与软件工程 2023年5期2023-05-17
- p 型接触界面氧影响SiC APD 暗电流的机制研究
D 能够实现低暗电流(10-12A)、高增益(104以上)和高量子效率(峰值量子效率50%),并且能够成功实现微弱紫外光探测,最优异的单光子探测效率达到30%。在器件结构中,电极/半导体之间良好的欧姆接触对于探测性能至关重要。高温退火是形成良好SiC 欧姆接触的常用方法,其中,n型SiC 的欧姆接触比较成熟,通常采用Ni 基金属体系,通过氮气氛围、900 ℃条件下的高温退火能够形成良好的欧姆接触,比接触电阻率可以达到10-6Ω·cm2[4]。Al 基、Ni
电子元件与材料 2023年1期2023-03-07
- 传输栅掺杂对CMOS有源像素满阱容量及暗电流的影响
王倩，徐江涛，高志远，陈全民（天津大学微电子学院天津市成像与感知微电子技术重点实验室，天津 300072）0 IntroductionIn recent years，Pinned Photodiode（PPD）CMOS Image Sensors（CISs）are widely used in consumer electronics and other fields due to their high performance and low cost［1
光子学报 2022年11期2022-11-26
- 1 064 nm连续激光辐照硅基APD探测器电学性能退化的研究
了合理的解释。暗电流和响应度是硅基APD探测器重要的电学参数。本论文通过开展1 064 nm连续激光辐照硅基APD探测器的实验，并对探测器的暗电流和响应度的测量结果进行了分析，给出了暗电流和响应度随功率密度以及作用时间的变化规律，为激光辐照光电探测器机理研究的发展提供理论指导和实验依据。1 实验在光电探测元件中，光谱响应度（R）表征了光电探测器对不同波长入射光的响应，光谱响应度的值越大，探测器的灵敏度越高。其数值为测试输出电流信号与入射光功率比。实验过程中
长春理工大学学报（自然科学版） 2022年4期2022-11-15
- CMOS 有源像素传感器辐射损伤对星敏感器星图识别影响机理与识别算法*
OS APS 暗电流噪声、暗信号非均匀性噪声和光响应非均匀性噪声与星点质心定位误差的定量关系.研究结果表明60Co-γ 射线辐照后星敏感器星图背景灰度均值增大、星点识别数量减少,CMOS APS 辐照后噪声增大导致星点质心定位误差增大,从而影响星敏感器的姿态定位精度,该研究结果为高精度星敏感器的设计和抗辐射加固提供一定的理论依据.1 引言星敏感器作为卫星姿轨控系统的重要组成部分,对发射阶段和在轨飞行时卫星的姿态控制有极为关键的作用[1].星敏感器首先通过拍
物理学报 2022年18期2022-09-30
- 用于位置检测的光电二极管参数分析
制，这种模式的暗电流最小，应用于太阳能电池；光导模式需要外加偏压，外加的偏压使PN结耗尽区的宽度增加，响应度增大，结电容变小，响应度趋于直线，这种模式下暗电流比较大，同时响应速度快，光电流大，适用于高速位置检测系统[1]。其产生光电流原理如图1所示。图1 光电二极管产生光电流原理1 光电二极管在位置检测中的作用在位置检测时，特定波长的光入射到光电二极管传感器，在反向偏置电压（Ub）下产生光电流（I），光电流与入射光强（E）具有很好的线性特性，如图2所示。通
电子工业专用设备 2022年3期2022-09-09
- InGaAs/Si键合界面a-Si键合层厚度对InGaAs/Si雪崩光电二极管性能的影响
位错，使得器件暗电流变大。虽然后续该课题组将键合温度降低至300°C 并实现气泡的消除［24］，然而键合界面晶格失配问题仍没能得到解决。为彻底消除InGaAs/Si 晶格失配对位错成核的影响，在键合界面引入非晶半导体键合层（如a-Si、a-Ge）是理想的选择，非晶半导体由于没有晶格，因此与单晶InGaAs 之间不存在晶格失配，失配位错成核的源头被彻底根除。其次，非晶半导体键合不仅可以消除晶格失配的影响，而且可以保证薄膜材料的光电特性，更重要的是相比于绝缘氧
光子学报 2022年2期2022-03-24
- CMOS成像式亮度计的暗电流校准方法
足等因素会产生暗电流［5］。文献［6］表明，暗电流会影响采集图像灰度值的大小，这导致CMOS成像式亮度计在亮度测量时会存在误差。因此，为减小暗电流带来的测量误差，需对CMOS成像式亮度计进行暗电流校准。根据目前可查阅到的文献，对CMOS成像式亮度计在暗电流上的校准还有待研究。文献［7］中，对暗电流的校准，仅分析了曝光时间对暗幅图像灰度值的影响，忽略了曝光参数与其他程控参数的制约关系。因此，本文提出一种CMOS成像式亮度计的暗电流校准方法。该方法通过分析不同
长春理工大学学报（自然科学版） 2022年1期2022-03-07
- 开放实验设计：利用地基DOAS技术测量大气中NO2浓度
，获取其偏置、暗电流、电子噪声和线性度等重要参量，对光谱仪工作性能进行综合判定.利用光谱仪和望远镜系统测量太阳散射光谱，设置合理的反演波段、气体截面和拟合多项式阶数等参数，对测量光谱进行反演获取对流层NO2浓度.1.2 教学目的了解DOAS技术的基本原理，能够完成指导老师分配的任务；对光谱仪进行性能测试，通过结果对光谱仪性能进行初步评估，通过查阅文献确定NO2的反演设置（波段、吸收截面、参考谱选取等）.掌握利用DOAS仪器测量太阳光谱的一般步骤，对测量的太
淮北师范大学学报(自然科学版) 2021年4期2021-12-17
- 高能质子辐照导致电荷耦合器件性能退化研究
效应导致CCD暗电流和电荷转移效率等参数退化，对CCD的成像性能产生严重影响[11]。因此，对于应用于空间环境中的CCD，必须开展辐射效应地面模拟试验，评估CCD参数和成像性能在高能质子辐照下的退化情况。由于空间应用的CCD一般位于卫星壳体内，受卫星外壳屏蔽及光学载荷镜头等的影响，质子能谱分布发生变化。如对于某LEO轨道的地球辐射带质子能谱分布情况进行粗略计算，当Al屏蔽球壳厚度为2.54 mm时，质子能谱分布的峰值能量约为30 MeV；当Al屏蔽球壳厚度
现代应用物理 2021年3期2021-11-10
- 海洋光学USB2000+光纤光谱仪的系统性偏差分析
、响应线性度、暗电流漂移等方面均存在系统性偏差，并最终导致采集到的数据发生明显偏差。本文针对这些问题，进一步提出了提高海洋光学USB2000+测量精确度的方法，以此提高数据质量。关键词：海洋光学USB2000+ ASD FieldSpec4光谱仪 系统性偏差 定量分析 定标中图分类号：TH74 文献标识码：A 文章编号：1674-098X（2021）03（a）-0121-09Systematic
科技创新导报 2021年7期2021-07-28
- 硅光电二极管结构特性研究
电流很小，称为暗电流，范围在1×10-8A 到1×10-9A 之间，此时相当于光电二极管截止；当有光照射时，PN 结受光子轰击，吸收光子能量的价电子被激发产生电子空穴对，相比多数载流子来说这些被激发的载流子影响并不大，但对P、N 区的少数载流子来说，少子数量明显增加。通过反向电压的作用，反向饱和漏电流大幅提升，形成了光电流，该光电流随入射光强度的变化而相应变化[2]。大部分光电器件应用产品正是基于这一原理使各自功能得以实现。2 硅光电二极管基本结构及原理光
微处理机 2021年1期2021-03-04
- 基于暗电流CMOS图像传感器固定模式噪声校正研究
电路偏置及像元暗电流所形成的偏置FPN(Offset FPN)，此类FPN通过帧间相减法可以有效抑制[3-4]；(2)由输出放大电路增益不一致性引入的增益FPN(Gain FPN)，此类FPN严重影响了图像质量。目前消除增益FPN噪声的方法有很多种：(1)基于神经网络非均匀性校正[5]；(2)基于估计的非线性校正[1]；(3)采用图像处理方法对CMOS图像数据进行低通滤波处理；(4)基于灰度补偿的非均匀性校正等[6]。除了第3种处理方法外，其余校正方法都需
液晶与显示 2021年2期2021-03-02
- 背景暗电流抑制的红外探测器读出电路输入级设计
了一种带有背景暗电流抑制功能的CTIA型读出电路输入级结构。经过仿真验证,其性能优良,可实现红外探测器读出电路对短波信号长积分时间下的背景暗电流抑制,未来可广泛用于红外焦平面线列、面阵以及其他阵列传感器中。2 带有背景暗电流抑制功能的CTIA型读出电路输入级设计2.1 电路结构设计传统的CTIA型读出电路输入级,如图2所示,是由一个反向运放和反馈积分电容Cint构成的一种复位积分器。探测器等效模型detector由并联的理想电流源、电阻和电容组成。图2 传
激光与红外 2021年1期2021-02-07
- 纯电动汽车辅助蓄电池选型方案设计
理论计算、整车暗电流计算校核、实车验证等方面提供了一个对纯电动汽车辅助蓄电池选型案例，实现了提高辅助蓄电池选型的准确性、延长辅助蓄电池使用寿命等目标。关键词：纯电动汽车;辅助蓄电池;暗电流;选型中图分类号：U469.7 文献标识码：B 文章编号：1671-7988（2020）20-08-03Abstract： In terms of the difficult to select auxiliary battery for battery electr
汽车实用技术 2020年20期2020-11-23
- 不同电极材料MSM紫外探测器性能研究
电子迁移率、低暗电流、高化学和热稳定性[2-4]等特点,广泛应用于紫外探测器件材料。在氮化镓的材料生长过程中,一般采用蓝宝石、Si和SiC等外延生长GaN薄膜[5-6]。为了提高GaN基紫外探测器性能,可使用不同的探测器结构,如p-i-n结构、肖特基结构和MSM结构器件[7]。其中,MSM器件由于结构简单,简化了制造工艺,吸引了大多数研究人员的关注。MSM结构包括背靠背金属半导体(MS)触点,其中采用相同金属电极和不同金属电极器件，被定义为对称MSM和非对
邵阳学院学报（自然科学版） 2020年3期2020-07-06
- 一种碲镉汞长波红外探测器暗电流测试方法
境以遏制自身的暗电流水平,因此需要长期研究探测器的暗电流参数。暗电流会直接提高探测器的无效输出信号,无效输出信号的增加势必减少探测器读出电路的有效输出范围。降低探测器的有效信号,同时暗电流还会提高探测器的噪声、降低探测器的信噪比。降低目标识别距离。尤其是随着碲镉汞探测器波长的延长,暗电流输出成指数式增加。碲镉汞红外焦平面探测器的暗电流一般是在无法接受到外界热辐射的状态下进行测试,这种方法在实验室是比较容易实现的[3]。一般进行红外探测器研制的单位均具有这种
激光与红外 2020年5期2020-06-07
- “高分七号”卫星双线阵相机暗电流特性分析及校正
卫星双线阵相机暗电流特性分析及校正张斐然 董方 刘冰洁 李阳 李春梅 董书莉（北京空间机电研究所，北京 100094）暗电流的有效去除能够提高相机动态范围，提高相机在低辐照条件下的成像能力。文章对“高分七号”卫星双线阵相机应用的两款CCD各谱段的暗电流及其噪声特性进行了分析，在此基础上分别选取了不同的暗电流估计方法，给出了校正算法的数学模型，利用FPGA开发工具对校正算法进行了实现，应用中分析了影响校正效果的各种因素。使用标定的暗电流估计系数进行暗电流校正
航天返回与遥感 2020年2期2020-05-21
- Study on the photo response of a CMOS sensorintegrated with PIN photodiodes
age 图8 暗电流与偏置电压大小的关系Fig.9 Relationship between dark current and pixel size 图9 暗电流与尺寸L的变化关系It can be seen that under the same area and bias voltage, the dark current of a PIN photodiode is larger than that of a PN photodiode, gener
中国光学 2019年5期2019-10-22
- 基于LM98640的TDI-CCD暗场扣除方法
制，研究人员对暗电流的产生机理[1]、信噪比[2]、电路结构[3-4]进行了分析，通过模拟偏置扣除或图像处理[5-7]的方法抑制暗场响应。这些方法重点对系统设计原理和噪声进行了分析，对暗电流的处理方法讨论尚不够深入。本文基于视频处理器LM98640，设计了一种数字负反馈的模拟处理方法。通过统计暗场下的图像灰度，实时调整LM98640的偏置参数，将模拟扣除和数字处理相结合，实现暗场噪声的电路抑制。2 TDI-CCD暗场噪声2.1 暗电流TDI-CCD暗电流(
液晶与显示 2019年6期2019-07-25
- 空间高速InGaAs-PIN光电二极管辐射损伤效应试验研究
致光电流减小与暗电流增大，影响光电二极管可探测的最小光功率。针对可见光波段的硅基PIN光电二极管的辐射损伤效应，国内外开展了大量研究，得到了较为全面的辐射损伤数据[8-11]。但是，对于InGaAs等红外波段光电二极管，尤其是应用于空间激光通信的高性能PIN光电二极管的辐射损伤效应数据相对缺乏。本文利用质子、中子和伽马射线辐照源辐照激光通信系统拟选用的新型高速InGaAs-PIN光电二极管，并对其辐射损伤效应开展对比研究，分析电离与位移损伤对PIN光电探测
航天器环境工程 2019年2期2019-04-25
- 双轴模拟式太阳敏感器测试链误差分析及修正
/D转换系数及暗电流等环节存在的偏差，会直接影响各象限光生电流间的相对关系，进而影响双轴模太的测量精度，目前尚未有相关文献对此进行定量分析和有效修正。通常的做法是对测试链路的转换精度及其一致性提出较高要求，从而加重了后处理电路的实现负担。为此，本文基于数值仿真，针对测试链路的影响进行了定量分析，并提出了校准和补偿算法，在不改变测试链路指标的情况下，有效提高了敏感器的测量精度，也为其他多路信号源敏感器的后处理实现提供了参考。1 双轴模太工作原理双轴模太采用四
中国空间科学技术 2019年1期2019-04-04
- SOI基栅控横向PIN蓝紫光探测器温度特性研究
在衬底漏电流和暗电流大及灵敏度低等缺陷。绝缘衬底上的硅(SOI)薄膜器件是在绝缘层上的半导体薄膜中制造器件，具有漏电流小，寄生电容小，无闩锁效应等优点，受到国内外研究者的高度重视，被视为21世纪的微电子技术。韩志涛等提出的SOI薄膜蓝紫光探测器，在450 nm波长时，响应度为0.348 A/W。在波长为900 nm时，响应度仅为0.054 A/W，能有效抑制长波光[2]。J. Chu等提出的SOI薄膜纵向PN结光电二极管，在波长为480 nm时，量子效率为
压电与声光 2019年1期2019-02-22
- 星敏感器用4T像素CMOS图像传感器总剂量效应研究*
暗场情况下产生暗电流.PPD表面的Si-SiO2区域辐照效应机理与STI区域一致，均为辐照后界面态及陷阱电荷密度增加.但由于在PPD表面有层重掺杂的P+区域，该部分重掺杂区域可以将N-PPD区域与Si-SiO2的界面态和陷阱电荷进行隔离，因此该部分区域对暗电流影响较小.由于短波基本在Si表面吸收，因此该部分区域的短波吸收产生的光生电荷将被复合或者被俘获，导致光生电荷减少，表现为器件光强减弱.TG栅氧层区域由于PPD内的光生电荷需要通过TG下方沟道转移到FD
空间控制技术与应用 2018年6期2019-01-22
- 电子辐照导致CMOS图像传感器性能退化
主要辐照损伤是暗电流大幅度增加，初步认为是由光电二极管周边的漏电流造成的。2008--2012年，Goiffon研究小组对0.18 μm工艺的CMOS APS进行γ射线辐照实验，证实了氧化物缺陷电荷是引起暗电流增大的主要原因，且和界面态引起暗电流相比，氧化物缺陷电荷引起的暗电流要高出两个数量级[7-9]。2012年,Tan等对4T晶体管(4 transistors, 4T)CMOS图像传感器进行了X射线辐照实验。结果表明，辐照后浅槽隔离(shallow t
现代应用物理 2018年4期2019-01-08
- 基于量子点红外探测器暗电流模型研究
有结果表明随着暗电流的增加，会让量子阱红外探测器的贡献出电子的施主杂质分布不均匀而影响探测器的工作效率，而量子点红外探测器由于将量子阱的结构换成了点阵式的结构，所以更加灵敏并且有更高的光电增益。在本次文章中，根据文献[2]的结论将量子点红外探测器处于一个黑暗的环境中，不让它受到光照的影响，通过本次提出的算法，将对于它的一些重要参数进行分析并得出影响量子点红外探测器的参数。1 量子点红外探测器理论基础量子点红外探测器一般是由一叠量子点阵列（例如InGaAs/
电子设计工程 2018年23期2018-12-15
- 汽车暗电流探讨
，郑燮理汽车暗电流探讨曾嘉，郑燮理（成都工贸职业技术学院，四川 成都 610000）文章介绍汽车暗电流的产生原因和相关危害、行业标准探讨，及几种常见汽车暗电流检测方法。暗电流；检测；标准前言全球经济的发展和文化的进步，日常生活中人们越来越需要汽车，对汽车便利性和舒适度的要求比以往更高。这对汽车电源控制提出了新的标准，暗电流的控制与检测显得愈发重要。随着车载电器进入智能化和多样化的同时，汽车电瓶容量也随之增大，汽车暗电流也会越来越大。而如何防止暗电流引起的
汽车实用技术 2018年22期2018-12-05
- 短波碲镉汞电子雪崩二极管的模拟仿真
偏压下,器件的暗电流水平限制了器件的灵敏度和可用雪崩增益,因此改善暗电流特性是获得高性能碲镉汞雪崩二极管器件的关键。本文采用silvaco仿真软件对短波(x=0.43)N-on-P平面PIN结构的碲镉汞e-APD器件的暗电流、雪崩增益及量子效率进行了仿真分析,仿真结果表明,合理设计器件结构和优化材料生长工艺及器件制造工艺可以改善暗电流特性,是获得高性能碲镉汞e-APD器件的关键。2 数值模型2.1 器件结构器件的仿真模拟是求解由泊松方程、电子与空穴的连续性
激光与红外 2018年8期2018-08-28
- nBn型InSb红外器件性能仿真
有效降低SRH暗电流、直接隧穿电流和陷阱辅助隧穿电流等结生暗电流,同时,由于在nBn器件结构中吸收区掩埋在宽禁带的势垒区下,起到了类似于钝化的效果,器件表面漏电也大大降低。因此,相比于传统器件,其可以在更高的工作温度达到相同的探测性能。图1 nBn结构器件的能带示意图nBn结构已广泛应用于超晶格、MCT、InAs(InAsSb)等材料中。2014年,法国Montpellier大学和SOFRADIR公司第一次报道了nBn结构的高温工作InSb红外探测器[1]
激光与红外 2018年7期2018-08-08
- 不同钝化结构对非极性AlGaN-MSM紫外探测器性能的提升
7测试了器件的暗电流特性;并利用光源为150 W的氙灯，经过Si探测器定标后，通过计算机从锁相放大器读数的光谱响应测试系统测量了非极性AlGaN-MSM紫外探测器的光谱响应度，测试偏压为5 V。图1 非极性AlGaN-MSMSEM图图2 非极性AlGaN的光致发光光谱，插图为表面形貌。3 结果与讨论3.1 样品与器件的基本特性非极性AlGaN-MSM紫外探测器的结构如图1所示，可以清楚看到叉指电极的形状，没有发生粘连现象;探测器的光照面积较大，指间距与指宽
发光学报 2018年7期2018-07-11
- 太阳能电池的动态模型和动态特性
电池光电流减去暗电流就可以得到它的输出电流。而在对基尔霍夫电流定理研究之后可以发现，太阳能电池动态模型的最佳状态应该为等效结电容、光生电流源以及理想二极管的并联电路。如果考虑引线的寄生电感以及寄生电阻，就可以得到实际的太阳能电池动态模型。具体如图1所示。其中，RD为二极管的小信号动态电阻，CD等效结电容。图1 太阳能电池的动态模型3 太阳能电池的动态特性3.1 太阳能电池特性分析（1）太阳电池等效电路的最佳状态。太阳能电池中的电流，主要由相反方向的光电流以
商品与质量 2018年48期2018-05-24
- N型太阳电池漏电的表征及应对措施
阳电池 漏电 暗电流 反向ELN型太阳电池是在碱式化学制绒的N型硅片上，通过硼磷管式分步扩散制备正面P型发射结和背面N+区，然后通过PECVD技术在前后表面制备钝化层和减反膜，正反面电极使用常规丝网印刷工艺完成。由于N型太阳电池在制备过程中工艺复杂，时间长，所以电池造成缺陷的原因更不容易被查找出来。在N型太阳电池的生产过程中，漏电流过大一直是主要问题。晶体硅太阳电池的漏电流也叫旁路结，是因为太阳电池的P-N结被短路而使光生载流子复合的一种现象，严重影响着太
电子技术与软件工程 2018年9期2018-02-25
- GaN基p-i-n和肖特基紫外探测器的响应光谱及暗电流特性
器的响应光谱及暗电流特性易淋凯1， 黄佳琳1， 周 梅1*， 李春燕1*， 赵德刚2(1. 中国农业大学理学院 应用物理系， 北京 100083； 2. 中国科学院半导体研究所 集成光电子国家重点实验室， 北京 100083)研究了p-i-n型和肖特基型GaN基紫外探测器的响应光谱和暗电流特性。实验发现，随着p-GaN层厚度的增加，p-i-n型紫外探测器的响应度下降，并且在短波处下降更加明显。肖特基探测器的响应度明显比p-i-n结构高，主要是由于p-GaN
发光学报 2017年10期2017-10-10
- 纯电动汽车暗电流分析及应对
0）纯电动汽车暗电流分析及应对陈 庚，周莉博，刘宗阁，段明双（河南新乡新能电动汽车有限公司，河南 新乡 453000）纯电动汽车搭载有高压动力电池和低压辅助铅酸蓄电池，高压动力电池作为动力系统的驱动电源，而铅酸蓄电池作为低压部件的工作及信号转换、传输电源。本文讨论的是利用DC/DC变换器及整车控制器VCU，检测并自动间歇性补充铅酸蓄电池电量，可基本解决因暗电流过大引起的车辆无法起动问题。纯电动汽车；铅酸蓄电池；DC/DC转换器；暗电流随着国家政策的大力扶持
汽车电器 2017年6期2017-07-12
- 子像元结构碲镉汞光伏器件暗电流特性的研究
碲镉汞光伏器件暗电流特性的研究乔 辉，李向阳（中国科学院上海技术物理研究所 中科院红外成像材料与器件重点实验室，上海 200083）针对碲镉汞光伏器件的暗电流随着物理面积增大而急剧增加，研究了子像元结构在降低大面积短波碲镉汞光伏器件暗电流方面的有效性。发现子像元结构在室温下相比常规结构可以有效降低器件的暗电流，但当温度降到180K时，常规结构器件反而具有最小的暗电流，经过分析认为是子像元边界处引入的表面漏电所致。如果器件的表面态密度和表面固定电荷过多，会使
红外技术 2017年6期2017-03-23
- 客车暗电流探讨
1023）客车暗电流探讨黄磊（厦门金龙联合汽车工业有限公司金龙客车工程研究院，福建厦门361023）介绍客车暗电流的产生原因和相关危害，重点分析几种客车暗电流检测方法的特点，从客车零部件设计、整车电气设计和用户使用等环节阐述客车暗电流的处治，并提出制定客车暗电流相关标准的建议。客车；暗电流；检测；处治；标准客车蓄电池亏电是客车电气故障中的常见现象，具体是指客车行驶中蓄电池逐渐失去电量，以致客车起动困难或电器工作不正常的现象。导致客车蓄电池亏电的原因有三类［
客车技术与研究 2016年3期2016-09-07
- 多层石墨烯纳米带光电探测器理论与性能分析
漏极间光电流及暗电流与入射光能量的关系,探讨了探测器的偏置电压,耗尽层长度以及带隙取值对暗电流的影响,并分析了不同参数下探测器响应率以及探测率随入射光能量的变化关系。结果表明,探测器的响应率随纳米带层数的增加而增加,受带隙,耗尽层长度和偏置电压的影响,最大的响应率约为103A·W-1; 通过限制上栅压,带隙等变量可以控制系统暗电流,增大探测器的探测率,最高探测率约为109cm·Hz1/2·W-1。多层石墨烯纳米带结构可以增强探测器对入射光的吸收,提高探测器
光谱学与光谱分析 2016年12期2016-06-05
- 温度对4管像素结构CMOS图像传感器性能参数的影响
量、饱和输出和暗电流等参数随温度的变化规律。实验结果表明，随着温度的升高，样品器件的转换增益从0.026 54 DN/e下降到0.023 79 DN/e,饱和输出从4 030 DN下降到3 396 DN，并且暗电流从22.9 e·pixel-1·s-1增长到649 e·pixel-1·s-1。其中器件转换增益的减小应主要归因于载流子迁移率随温度升高而下降使得像素后端读出电路增益降低；饱和输出的降低则是因为转换增益的降低，因为转换增益随温度变化对饱和输出的影
发光学报 2016年3期2016-05-04
- 红外焦平面探测器暗电流计算
外焦平面探测器暗电流计算毛京湘，舒 畅，王晓娟，谢 刚，黄俊博，周嘉鼎（昆明物理研究所，云南 昆明 650223）红外焦平面探测器的暗电流一般是在零视场（即盲冷屏）条件下进行测试，但这种测试方法必须改变组件结构，只适用于实验室测试。介绍了一种不需要改变组件结构，仅通过基本的性能测试就可以从理论上分析计算得到红外焦平面器件暗电流的方法。对320×256长波探测器组件的试验结果表明，用该方法得到的暗电流结果与用盲冷屏得到的暗电流结果非常接近，可作为红外焦平面探
红外技术 2016年3期2016-03-28
- 新型复合盖层延伸波长InGaAs红外探测器结构优化设计
仅降低10%，暗电流降低了1个数量级。计算分析了不同工作温度下的暗电流，结果显示：在120～250 K时，暗电流主要为缺陷隧穿电流；在250～300 K时，暗电流主要为带间隧穿电流；当温度大于300 K时，暗电流主要为产生-复合电流和扩散电流。红外探测器；APSYS；盖层；光谱响应度；暗电流1 引 言工作在1～3μm的近红外探测器件在空间遥感、大气监测、资源勘探等领域都有重要的应用［1］。InGaAs材料可以覆盖1～3μm近红外波段，具有高吸收系数、高迁移
发光学报 2015年1期2015-10-17
- 长波HgCdTe红外探测器的暗电流机理研究进展
e红外探测器的暗电流机理研究进展陈效双，许 娇，胡伟达，王 俊，陈勇国，黄 燕，周孝好，陆 卫（中国科学院上海技术物理研究所 红外物理国家重点实验室 上海 200083）介绍了HgCdTe红外探测器的发展历程，详细分析了长波HgCdTe红外探测器的暗电流机制、采用同时拟合方法对暗电流参数进行提取与分析，介绍了为降低暗电流的一些新的研究进展。长波HgCdTe红外探测器；暗电流；非线性同时拟合方法；混合表面钝化0 引言红外辐射是介于可见光和微波之间的电磁波，是
红外技术 2015年5期2015-04-03
- 模块化光电倍增管实验开发
了对光电倍增管暗电流、光电特性、伏安特性的测量. 模块化的实验平台组合使得仪器装置具有良好的开放性，有利于学生直观认识掌握光电倍增管的工作原理以及性能参量的物理意义.光电倍增管；暗电流；伏安特性；光电特性1 引 言光电倍增管是一种以光电效应、二次电子发射和电子光学理论为原理基础的真空光电发射器件. 它把微弱入射光转换成光电子，并获得倍增，具有极高灵敏度和超快时间响应的优点. 一些具有里程碑意义的近代物理实验都离不开光电倍增管的运用，如塞曼效应、氢光谱实验、
物理实验 2015年6期2015-03-10
- 一种肖特基势垒增强型N⁃AlGaN基MSM日盲紫外光电探测器
N层后探测器的暗电流大幅度减小。在5 V偏压下，覆盖高阻AlGaN层的光电探测器的暗电流为1.6 pA，响应度为22.5 mA/W，日盲紫外抑制比大于103，探测率为6.3×1010cm·Hz1/2/W。探测器；紫外光电探测器；铝镓氮；日盲；肖特基势垒0 引言AlGaN半导体材料具有优越的物理化学特性、逐渐成熟的材料生长技术和可覆盖日盲紫外区的直接带隙（3.4～6.2 eV），是制作日盲紫外探测器的理想材料。日盲紫外探测器在导弹制导与预警、火焰预警、化学/
现代电子技术 2015年4期2015-02-21
- 基于太阳能光伏电池电流特性的探析
、太阳电池内的暗电流（一）光伏电池暗电流的形成因素半导体PN 结的暗电流是指在没有光照的条件下，给PN 结加反偏电压（N 区接电源正极，P 区接电源负极）时产生的反向电流。因为加在PN 结上的反向电压使得PN 结的空间电荷区变宽，内建电场变大，电子的电势能增加，使得P 区和N 区的多数载流子就很难越过内建电场，多子的扩散电流几乎为零。随着内建电场的增加，N 区和P 区中的少子漂移运动更加容易，暗电流的产生不可避免。对单纯的PN 结而言，暗电流可以认为是PN
滁州职业技术学院学报 2015年3期2015-01-21
- CCD表面暗电流特性研究
度、量子效率、暗电流、噪声等CCD参数中，低暗电流一直是CCD研发人员的努力方向［1］。CCD暗电流由Si－SiO2界面的表面暗电流、耗尽区的耗尽区暗电流和场自由区的扩散电流组成［2］，其中表面暗电流占据CCD暗电流的主导地位。为了抑制表面暗电流，多相钉扎(Multi－Pinned Phase，MPP)、所有栅钉扎(All Gate Pinned，AGP)和反型工作模式(Inverted Operation Mode，IOM)等工作模式都可在CCD表面的硅
电子科技 2014年5期2014-12-18
- 温控系统在DOAS下对SO2检测中的设计与应用
响CCD电路的暗电流，尤其是在光谱成像的数据分析中，暗电流会降低成像范围并且增加CCD噪声,带来了系统的误差[4-5]。同时采样气体的吸收光谱也会随着温度的变化而产生改变，以致影响反演的准确性[6-7]。本实验将温度控制装置[8]应用在现有DOAS监测装置下，对DOAS系统进行温度监控和调节。在使用温控装置将装置的温度调整在各个不同值下，对CCD的信号平均强度与曝光时间进行线性拟合，得到CCD暗电流随温度的变化关系，验证了CCD暗电流随温度升高成指数增长。
网络安全与数据管理 2014年2期2014-11-10
- 基于针-针电极直流高压电晕放电暗电流测量大气相对湿度的研究
流高压电晕放电暗电流测量大气相对湿度的研究姚德新,邹应全*,蒋 沛(南京信息工程大学电子与信息工程学院,南京 210044)为了研究直流高压电晕放电暗电流与大气相对湿度的关系,为大气湿度的测量提供新的方法。采用针-针电极结构的直流高压放电模型,通过气体放电理论推导了暗电流与湿度的理论关系;建立暗电流测量的实验模型,测量不同输入高压和不同湿度下电极外回路放电暗电流。实验结果与理论计算的规律一致,为电晕放电暗电流测量大气湿度的研究提供了理论和实验依据。实验和计
传感技术学报 2014年12期2014-09-06
- 太赫兹量子阱探测器的暗电流抑制电路研究
量子阱探测器的暗电流抑制电路研究董 明1，郭旭光1，谭智勇1，刘晓艳2，郭方敏2，曹俊诚1(1.中国科学院大学上海微系统与信息技术研究所太赫兹固态技术重点实验室，上海 200050; 2.华东师范大学教育部极化材料与器件实验室，上海 200241)主要研究了太赫兹量子阱探测器读出电路中的暗电流抑制模块。首先从理论上分析了太赫兹量子阱探测器产生暗电流和光电流的原理。由于太赫兹量子阱探测器中电子输运行为非常复杂，难以通过理论推导建立精确等效电路模型的解析表达式
激光与红外 2014年4期2014-04-19
- 碲镉汞长波探测器暗电流优化模拟
3－4］。而其暗电流水平是决定探测器性能的关键要素，直接影响到红外系统的目标识别距离和虚警率，必须研究并尽量减小暗电流的影响，因此对HgCdTe红外探测器的暗电流研究具有非常重要的理论和实际意义。借助于公式算法或者软件进行器件工艺仿真模拟是个不错的方向，国内外有很多利用算法以及软件对 HgCdTe 材料及器件进行仿真模拟［5－12］，取得了不错的效果，极大地节约了金钱和时间成本。本篇文章基于Silvaco半导体仿真软件，针对HgCdTe长波探测器的暗电流进
激光与红外 2014年1期2014-01-23
- GaN基APD日盲紫外探测器读出电路设计*
高反向偏压下，暗电流和光电流都被放大。因此，高增益的代价是噪声增加，在设计时必须综合考虑噪声特性和雪崩增益［5］。本文设计了一种适用于工作在线性模式下的大规模GaN基APD阵列的读出电路，其中针对APD的工作特性专门设计了高压保护电路和暗电流消除电路。针对二级运放专门设计了电流偏置电路、带隙基准电压电路，并用小规模阵列读出电路进行了验证。1 日盲紫外APD探测器的工作模式和特性APD探测焦平面阵列(FPA)是由APD探测器阵列和读出电路(ROIC)阵列组成
电子器件 2013年5期2013-12-29
- 模糊PID算法的温度控制在CCD上的应用
仪的检测器件。暗电流是CCD的重要性能指标之一，也是主要噪声源，尤其是在光谱成像的数据分析中，暗电流会降低成像范围并且增加CCD噪声。温度的变化会对CCD暗电流产生影响，一般都随温度升高而大幅增加。此外温度也会影响电路板上放大电路的增益，导致输入信号被放大后，出现增益误差[4]。所以对CCD的温度控制具有重要的意义。本文通过实验验证，CCD暗电流会随温度的下降呈指数下降，当温度达到20℃以下时，暗电流的变化较为平缓。使用模糊PID的温控理论实现对CCD最佳
网络安全与数据管理 2013年7期2013-08-16
- 太阳能电池的温度特性研究
随着温度的上升暗电流急剧增加。在此，忽略短路电流随温度的变化，取300K的短路电流值为参考值，与暗电流进行作图比较，其变化趋势如图4所示。图4 不同温度下的暗电流曲线在输出电压小于0.6 V的工作状态下，暗电流几乎为零，温度对其影响可以忽略；随着输出电压的继续增加，暗电流急剧上升，当Jdark＝Jsc时，电池输出电压达到开路电压，同时，温度的影响明显加强，300 K时，输出电压为0.81 V，暗电流与Jsc相当，而温度为350 K时，电池输出电压0.73
通信电源技术 2013年1期2013-07-18
- 热退火对氮铝镓MSM结构紫外光电探测器性能的影响
具有制作简单、暗电流小、响应度大、响应时间快等优点，是目前紫外光电探测器主要采用的结构之一。众所周知，对薄膜进行热退火处理，可以提高薄膜的晶体质量，同样对二极管器件进行热退火处理可以降低器件的暗电流[10]。因此，本文通过对AlxGa1-xN探测器进行热退火处理的办法，降低其暗电流并对退火条件下器件的其它参数进行了分析。1 实验本实验分别采用三甲基镓(TMGa)和三甲基铝(TMAl)作为Ga源和Al源，载气选用(99.999%)H2。首先，蓝宝石衬底上生长
长春理工大学学报（自然科学版） 2011年2期2011-03-16
- AgCam传感器平场校正*
器CCD阵列的暗电流(Dark Current),渐晕效应(Vegnitting Effect)和光电响应(Quantum Efficiency)的校正系数。AgCam的定标实验数据和实际拍摄图像处理结果表明,该方法能够有效地对AgCam的平场效应进行校正。平场校正;光电响应;渐晕效应;最小二乘拟合;国际空间站AgCam是由美国University of North Dakota开发的装载在国际空间站上的对地观测传感器,此项目由美国航空航天局资助,目的是为
中国海洋大学学报（自然科学版） 2010年9期2010-01-08
- CCD温度对星敏感器星点定位精度的影响
例，对CCD的暗电流、暗电流散粒噪声、暗电流不均匀噪声等的温度特性进行了实验测量.研究了CCD温度对星敏感器星点定位精度的影响，结果表明：对于DV437-BU2型CCD芯片，当CCD工作温度高于300 K时，降温可以显著提高星敏感器星点定位精度，当CCD工作温度低于300 K时，降温对星点定位精度的影响不明显；当温度由330K降到300K时，星点定位精度由0.12个像素提高至0.078个像素.CCD；噪声；星敏感器；定位精度；致冷星敏感器是一种高精度的姿态
空间控制技术与应用 2009年6期2009-12-12
- ７５１型分光光度计的使用与维护
插入比色皿座内暗电流闸门的前面,在白纸上可观察到黄色单色光。正常情况下它是一个明亮完整的长方形的均匀光斑。如果不是这样,就可将光源灯罩移去,旋松位置固定螺丝,移动前后及左右位置,使观察到的光斑亮度最强,均匀完整,然后重新将此螺丝紧固。再调节钨灯固定板上的三只调节螺钉和灯的亮度,以进一步改善光斑质量。必要时可调节滤光片滑块下小方孔内的调节螺钉,以改变入射角度。(二)氢弧灯的调节。将反射镜手柄拨向氢弧灯位置,接通氢弧灯开关,将滤光片滑块放在空荡上,取一片白纸插
活力 2009年3期2009-11-16